产品信息
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制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极MAX电压 VCEO: 120 V
集电极—基极电压 VCBO: 120 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 4 V
MAX直流电集电极电流: 1 A
Pd-功率耗散: 1 W
增益带宽产品fT: 30 MHz
MIN工作温度: - 65 C
MAX工作温度: + 200 C
商标: ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min: 40 at 250 mA, 2 V
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
子类别: Transistors
技术: Si
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